可控硅的使用10條黃金法則

規(guī)則1. 為了導(dǎo)通閘流管（或雙向可控硅），必須有門(mén)極電流≧IGT ，直至負(fù)載電流達(dá)到≧ IL 。這條件必須滿足，并按可能遇到的最低溫度考慮。 

規(guī)則2. 要斷開(kāi)（切換）閘流管（或雙向可控硅），負(fù)載電流必須<IH, 并維持足夠長(zhǎng)的時(shí)間，使能回復(fù)至截止?fàn)顟B(tài)。在可能的最高運(yùn)行溫度下必須滿足上述條件。 

規(guī)則3. 設(shè)計(jì)雙向可控硅觸發(fā)電路時(shí)，只要有可能，就要避開(kāi)3+象限（WT2-，+）。 

規(guī)則4. 為減少雜波吸收，門(mén)極連線長(zhǎng)度降至最低。返回線直接連至MT1（或陰極）。若用硬線，用螺旋雙線或屏蔽線。門(mén)極和MT1間加電阻1kΩ或更小。高頻旁路電容和門(mén)極間串接電阻。另一解決辦法，選用H系列低靈敏度雙向可控硅。 

規(guī)則5. 若dVD/dt或dVCOM/dt可能引起問(wèn)題，在MT1和MT2間加入RC緩沖電路。  若高dICOM/dt可能引起問(wèn)題，加入一幾mH的電感和負(fù)載串聯(lián)。 另一種解決辦法，采用Hi-Com雙向可控硅

規(guī)則6. 假如雙向可控硅的VDRM在嚴(yán)重的、異常的電源瞬間過(guò)程中有可能被超出，采用下列措施之一： 負(fù)載上串聯(lián)電感量為幾μH的不飽和電感，以限制dIT/dt；  用MOV跨接于電源，并在電源側(cè)增加濾波電路。 

規(guī)則7. 選用好的門(mén)極觸發(fā)電路，避開(kāi)3+象限工況，可以最大限度提高雙向可控硅的dIT/dt承受能力。 

規(guī)則8. 若雙向可控硅的dIT/dt有可能被超出，負(fù)載上最好串聯(lián)一個(gè)幾μH的無(wú)鐵芯電感或負(fù)溫度系數(shù)的熱敏電阻。另一種解決辦法：對(duì)電阻性負(fù)載采用零電壓導(dǎo)通。 

規(guī)則9. 器件固定到散熱器時(shí)，避免讓雙向可控硅受到應(yīng)力。固定，然后焊接引線。不要把鉚釘芯軸放在器件接口片一側(cè)。 

規(guī)則10. 為了長(zhǎng)期可靠工作，應(yīng)保證Rth j-a足夠低，維持Tj不高于Tjmax ,其值相應(yīng)于可能的最高環(huán)境溫度