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一般保護可控硅晶閘管線路方法有哪些？

可控硅的保護電路，大致可以分為兩種情況：一種是在適當的地方安裝保護器件，例如，R-C阻容吸收回路、限流電感、快速熔斷器、壓敏電阻或硒堆等。再一種則是采用電子保護電路，檢測設備的輸出電壓或輸入電流，當輸出電壓或輸入電流超過允許值時，借助整流觸發控制系統使整流橋短時內工作于有源逆變工作狀態，從而抑制過電壓或過電流的數值。
一.可控硅的過流保護
晶閘管設備產生過電流的原因可以分為兩類:一類是由于整流電路內部原因, 如整流晶閘管損壞, 觸發電路或控制系統有故障等; 其中整流橋晶閘管損壞類較為嚴重, 一般是由于晶閘管因過電壓而擊穿,造成無正、反向阻斷能力，它相當于整流橋臂發生永久性短路，使在另外兩橋臂晶閘管導通時，無法正常換流，因而產生線間短路引起過電流.另一類則是整流橋負載外電路發生短路而引起的過電流，這類情況時有發生，因為整流橋的負載實質是逆變橋, 逆變電路換流失敗，就相當于整流橋負載短路。另外，如整流變壓器中心點接地，當逆變負載回路接觸大地時，也會發生整流橋相對地短路。

1.對于第一類過流，即整流橋內部原因引起的過流，以及逆變器負載回路接地時，可以采用第一種保護措施，最常見的就是接入快速熔短器的方式。見圖1?？焖偃鄱唐鞯慕尤敕绞焦灿腥N，其特點和快速熔短器的額定電流見表1。

方式	特點	額定電流IRN	備注
A型	熔短器與每一個元件串聯，能可靠地保護每一個元件	IRN<1.57IT	IT：晶閘管通態平均電流
B型	能在交流、直流和元件短路時起保護作用，可靠性稍有降低	IRN<KCID 系數KC見表2	KC：交流側線電流與ID之比 ID：整流輸出電流
C型	直流負載側有故障時動作，元件內部短路時不能起保護作用	IRN<ID	ID：整流輸出電流

表1：快速熔短器的接入方式、特點和額定電流

型式		單相全波	單相橋式	三相零式	三相橋式	六相零式六相曲折	雙Y 帶平衡電抗器
系數KC	電感負載	0.707	1	0.577	0.816	0.108	0.289
系數KC	電阻負載	0.785	1.11	0.578	0.818	0.409	0.290

表2：整流電路型式與系數KC的關系表

2.對于第二類過流，即整流橋負載外電路發生短路而引起的過電流，則應當采用電子電路進行保護。常見的電子保護原理圖如下

二.晶閘管的過壓保護

晶閘管設備在運行過程中，會受到由交流供電電網進入的操作過電壓和雷擊過電壓的侵襲。同時，設備自身運行中以及非正常運行中也有過電壓出現。
1.過電壓保護的第一種方法是并接R-C阻容吸收回路，以及用壓敏電阻或硒堆等非線性元件加以抑制。見圖3和圖4。

2.過電壓保護的第二種方法是采用電子電路進行保護。常見的電子保護原理圖如下：

三.電流上升率、電壓上升率的抑制保護
1.電流上升率di/dt的抑制
晶閘管初開通時電流集中在靠近門極的陰極表面較小的區域，局部電流密度很大，然后以0.1mm/μs的擴展速度將電流擴展到整個陰極面，若晶閘管開通時電流上升率di/dt過大，會導致PN結擊穿，必須限制晶閘管的電流上升率使其在合適的范圍內。其有效辦法是在晶閘管的陽極回路串聯入電感。如下圖:

2.電壓上升率dv/dt的抑制
加在晶閘管上的正向電壓上升率dv/dt也應有所限制,如果dv/dt過大，由于晶閘管結電容的存在而產生較大的位移電流，該電流可以實際上起到觸發電流的作用，使晶閘管正向阻斷能力下降，嚴重時引起晶閘管誤導通。
為抑制dv/dt的作用，可以在晶閘管兩端并聯R-C阻容吸收回路。如下圖：

四、為什么要在晶閘管兩端并聯阻容網絡
在實際晶閘管電路中，常在其兩端并聯RC串聯網絡，該網絡常稱為RC阻容吸收電路。

我們知道，晶閘管有一個重要特性參數－斷態電壓臨界上升率dlv/dlt。它表明晶閘管在額定結溫和門極斷路條件下，使晶閘管從斷態轉入通態的最低電壓上升率。若電壓上升率過大，超過了晶閘管的電壓上升率的值，則會在無門極信號的情況下開通。即使此時加于晶閘管的正向電壓低于其陽極峰值電壓，也可能發生這種情況。因為晶閘管可以看作是由三個PN結組成。

在晶閘管處于阻斷狀態下，因各層相距很近，其J2結結面相當于一個電容C0。當晶閘管陽極電壓變化時，便會有充電電流流過電容C0，并通過J3結，這個電流起了門極觸發電流作用。如果晶閘管在關斷時，陽極電壓上升速度太快，則C0的充電電流越大，就有可能造成門極在沒有觸發信號的情況下，晶閘管誤導通現象，即常說的硬開通，這是不允許的。因此，對加到晶閘管上的陽極電壓上升率應有一定的限制。

為了限制電路電壓上升率過大，確保晶閘管安全運行，常在晶閘管兩端并聯RC阻容吸收網絡，利用電容兩端電壓不能突變的特性來限制電壓上升率。因為電路總是存在電感的(變壓器漏感或負載電感)，所以與電容C串聯電阻R可起阻尼作用，它可以防止R、L、C電路在過渡過程中，因振蕩在電容器兩端出現的過電壓損壞晶閘管。同時，避免電容器通過晶閘管放電電流過大，造成過電流而損壞晶閘管。
由于可控硅過流過壓能力很差，如果不采取可靠的保護措施是不能正常工作的。RC阻容吸收網絡就是常用的保護方法之一。
五、整流晶閘管阻容吸收元件的選擇
電容的選擇:
C=(2.5-5)×10的負8次方×If
If=0.367Id
Id-直流電流值
如果整流側采用500A的晶閘管
可以計算C=(2.5-5)×10的負8次方×500=1.25-2.5μF
選用2.5μF，1kv 的電容器
電阻的選擇：
R=((2-4) ×535)/If=2.14-8.56
選擇10歐
PR=(1.5×(pfv×2πfc)的平方×10的負12次方×R)/2
Pfv=2u(1.5-2.0)
u=三相電壓的有效值

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