可控硅PDF參數規格書中英文對照表，參數介紹。
1、反向斷態重復峰值電壓（VRRM）：可控硅反向阻斷時允許重復加在可控硅上最大瞬時值反向電壓，包括所有的重復瞬態電壓。反向斷態重復峰值電壓為反向不重復峰值電壓（VRSM）的90%
2、正向斷態重復峰值電壓（VDRM）：可控硅正向阻斷時允許重復加在可控硅上最大瞬時正向電壓。正向斷態重復峰值電壓為正向斷態不重復峰值電壓（VDSM）的90%
3、反向重復峰值電流（IRRM）：在門極斷路時，可控硅加上反向重復峰值電壓時的峰值漏電流
4、斷態重復峰值電流（IDRM）：在門極斷路時，可控硅加上斷態重復峰值電壓時的峰值漏電流
5、門極觸發電流（IGT）：使可控硅由斷態轉入通態所必需的最小門極電流
6、門極觸發電壓（VGT）：產生門極觸發電流所必須的最小門極電壓
7、通態均方根電流（IT（RMS））：通態電流在一個周期內的均方根值
8、通態平均電流（IT（AV））：通態電流在一個周期內的平均值
9、浪涌電流（ITSM）：在額定結溫下，在工頻正弦波半周期間元件所能承受的最大過載電流
10、通態電流臨界上升率（di/dt）：在規定結溫下，可控硅用門極開通時所能承受而不導致損壞的通態電流的最大通態電流上升率
11、斷態電壓臨界上升率（dv/dt）：在額定結溫和門極斷路時，使元件從斷態轉入通態的最低電壓上升率
12、峰值通態電壓（VTM）：可控硅通以π倍或規定倍數額定通態平均電流值時的瞬態峰值電壓
13、維持電流（IH）：在室溫及門極斷路時，可控硅被觸發導通后，從較大的通態電流下降到維持通態所必須的最小通態電流
14、擎住電流（IL）：可控硅從斷態轉換到通態瞬間移除觸發信號后，要保持元件維持通態所需要的最小電流。同一個可控硅，通常擎住電流IL約為維持電流IH的2~4倍。
15、額定結溫（Tj）：元件在正常工作條件下所允許的最高PN結溫度。
16、I2t值：浪涌電流的平方在其持續時間內的積分值。
17、門極平均值耗散功率（PG（AV））：在規定條件下，門極正向所允許的最大平均功率。
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