可控硅元件存在的較大弱點是承受過電流和過電壓能力較差。可控硅的熱容量很小：一旦過流，溫度急劇上升，器件被燒壞，所以必須對它采用適當的保護措施。
例如：一只16A的可控硅過電流為160A時，僅允許持續0.02秒，否則將被燒壞；
可控硅承受過電壓的能力極差。單向可控硅的電壓超過其反向擊穿電壓時，即使時間極短，也容易損壞。正向電壓超過轉折電壓時，會產生誤導通，導通后的電流較大，使器件受損。而對于雙向可控硅來講當無論正反向電壓一但超過轉折電壓，就會產生誤導通，導通后的電流較大，使器件受損。
所以，我們要對可控硅進行過電流和過電壓保護。
1、可控硅過電流保護
采用快速熔斷器來進行過電流保護。熔斷器是最簡單有效的保護元件，由于普通熔斷器的熔斷特性動作太慢，在熔斷器尚未熔斷之前可控硅已被燒壞，所以不能用了保護可控硅。針對可控硅、硅整流元件過流能力差的特點，專門制造了快速熔斷器稱為快熔，快速容斷器中的溶絲是銀質的，它具有快熔斷特性，能做到當流過5倍額定電流時，熔斷時間小于0.02s，在通常的短路電流時，能保證在可控硅管損壞前，快熔斷短路電流，適用于短路保護場合
除了快速熔斷器外，還有其他的過流保護方法，如過電流繼電器、過負荷繼電器、直流快速斷路器等。過電流繼電器常和門極斷開裝置安裝在一起，動作快，經1~2ms就可以使斷路器跳閘，其信號由交流側的電流互感器取得。當發生換相故障時，有可能使斷路器動作，而快速熔斷器并不燒壞。過負荷繼電器是熱動型繼電器，安裝在交流側進線端．用于進線可控硅過負荷的熱保護。直流快速熔斷器，它應先于快速熔斷器和可控硅動作，以避免經常更換快速熔斷器，從而降低運行費用。
2、過電壓保護
引起過電壓的主要原因是電路中含有電感元件（如變壓器、電抗器線圈等）。例如，當變壓器原邊電路的拉閘、整流裝置直流側的開關切斷，快速熔斷器熔絲的熔斷、可控硅由正向導通轉變為反向阻斷時出現的自感電動勢以及雷電等都可能引起過電壓。
消除過電壓現象通常可以采用阻容吸收電路。可控硅過電壓阻容保護電路是利用電容來吸收過電壓，其實質是將引起過電壓的磁場能量變成電場能量儲存在電容器之中，然后電容器通過電阻放電，把能量逐漸消耗在電阻中，這就是過電壓保護的基本方法。
阻容吸收裝置的接入方式有三種，阻容吸收電路可以并聯在可控硅電路的交流側、直流側或器件側。
除了阻容吸收回路外，還可采用硒堆保護，壓敏電阻保護，雪崩光電二極管吸收電路，可控硅吸收回路，可控硅反向電壓保護電路等。
∷
環昕微實業
