可控硅半導體材料硅si與sic碳化硅電學性能解說
1 半導體材料的發展
半導體技術是以半導體材料制作電子器件以及集成電子器件的技術。1947年美國貝爾實驗室的蕭克萊、巴丁和布拉頓關于三極管的發明揭開了半導體技術迅猛發展的序幕，自此以后，電子和信息工業蓬勃發展。目前半導體工業的生產總值已超越了汽車、鋼鐵和化學工業的總和，成為第一大工業，對人們生活的影響已無處不在。
硅(Si)是研究較早的半導體材料，是第一代半導體的代表。半個多世紀以來，硅半導體技術的長足發展極大地促進了電力和電子技術的進步。尤其到了20世紀70年代，集成電路制造技術的成熟，奠定了硅在整個半導體行業中的領軍地位。目前，除了極少數微波加熱電源還使用真空電子管之外，幾乎所有的電力和電子器件都使用Si材料來制造。尤其在集成電路中，99％以上用的都是Si半導體材料。然而隨著科學的進步和半導體技術的發展，Si由于材料本身的特點在某些應用領域的局限性逐漸表現出來。例如，其帶隙較窄(～1．12eV)、載流子遷移率和擊穿電場較低等，限制了其在光電子領域以及高頻、高功率器件方面的應用L1。
20世紀后期，無線通信、光纖通信以及互聯網技術快速興起，激發了以砷化鎵(GaAs)和磷化銦(InP)為代表的第二代半導體材料的飛速發展。GaAs的電子遷移率是硅的6倍，是目前最主要的高速和超高速半導體材料，已在高速傳導元器件中得到應用。InP由于良好的高頻和高速等特性，成為光纖通訊中的激光源、光纖放大器、多路復用和信號分離等器件的關鍵材料。但是，由于GaAs和InP的熱導率比較低，它們并不能成為電力電子和功率集成電路等器件的最優選材料。例如，GaAs的Keyes因子還不到Si的一半，大電流下會導致GaAs器件的結溫過高，而不適合做高頻和高溫電子元件。
第三代半導體也稱為寬帶隙半導體(禁帶寬度超過2．0eV)，如金剛石、碳化硅(SiC)、Ⅲ一V族氮化物、Ⅱ一Ⅵ族Zn基化合物及其固溶體等。其中以金剛石、SiC、氮化鎵(GaN)和氧化鋅(ZnO)為第三代半導體的代表材料。寬帶隙使第三代半導體具有許多共同的性能特點，包括高熔點、高臨界擊穿電場、高熱導率、小的介電常數、大的激子束縛能、大的壓電系數以及較強的極化效應等。
SiC電學性能
SiC具有較高的臨界擊穿電場、高熱導率和飽和電子遷移率等特點，適合于制造大功率、高溫、高頻和抗輻射的半導體器件。SiC熱導率是si的3倍，SiC材料優良的散熱性有助于提高器件的功率密度和集成度。SiC材料形態決定其禁帶寬度的大小，但均大于si和GaAs的禁帶寬度，降低SiC器件的泄漏電流，加上SiC的耐高溫特性，使得SiC器件在高溫電子工作領域優勢明顯。因其具有高硬度和高化學穩定性等特點，使得SiC材料能勝任惡劣的工作環境。一維SiC納米材料具有較高的禁帶寬度，可由間接帶隙半導體轉變為直接帶隙半導體，高強高韌等特點；適用于制造在惡劣環境下使用的電子器件。
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