2.貼片可控硅（晶閘管）封裝外形有SOT-23、SOT-23-3L、SOT-89、SOT-223、TO-252、TO-263。
3.一般可控硅在應用中會加裝散熱片，這方面的安裝空間要考慮到。
（三）查看可控硅的規(guī)格書，每個參數(shù)對應用線路的說明如下：
1、反向斷態(tài)重復峰值電壓（VRRM）：晶閘管反向阻斷時允許重復加在晶閘管上最大瞬時值反向電壓，包括所有的重復瞬態(tài)電壓。反向斷態(tài)重復峰值電壓為反向不重復峰值電壓（VRSM）的90%
2、正向斷態(tài)重復峰值電壓（VDRM）：晶閘管正向阻斷時允許重復加在晶閘管上最大瞬時正向電壓。正向斷態(tài)重復峰值電壓為正向斷態(tài)不重復峰值電壓（VDSM）的90%
3、反向重復峰值電流（IRRM）：在門極斷路時，晶閘管加上反向重復峰值電壓時的峰值漏電流
4、斷態(tài)重復峰值電流（IDRM）：在門極斷路時，晶閘管加上斷態(tài)重復峰值電壓時的峰值漏電流
5、門極觸發(fā)電流（IGT）：使晶閘管由斷態(tài)轉入通態(tài)所必需的最小門極電流
6、門極觸發(fā)電壓（VGT）：產生門極觸發(fā)電流所必須的最小門極電壓
7、通態(tài)均方根電流（IT（RMS））：通態(tài)電流在一個周期內的均方根值
8、通態(tài)平均電流（IT（AV））：通態(tài)電流在一個周期內的平均值
9、浪涌電流（ITSM）：在額定結溫下，在工頻正弦波半周期間元件所能承受的最大過載電流
10、通態(tài)電流臨界上升率（di/dt）：在規(guī)定結溫下，晶閘管用門極開通時所能承受而不導致?lián)p壞的通態(tài)電流的最大通態(tài)電流上升率
11、斷態(tài)電壓臨界上升率（dv/dt）：在額定結溫和門極斷路時，使元件從斷態(tài)轉入通態(tài)的最低電壓上升率
12、峰值通態(tài)電壓（VTM）：晶閘管通以π倍或規(guī)定倍數(shù)額定通態(tài)平均電流值時的瞬態(tài)峰值電壓
13、維持電流（IH）：在室溫及門極斷路時，晶閘管被觸發(fā)導通后，從較大的通態(tài)電流下降到維持通態(tài)所必需的最小通態(tài)電流
14、擎住電流（IL）：晶閘管從斷態(tài)轉換到通態(tài)瞬間移除觸發(fā)信號后，要保持元件維持通態(tài)所需要的最小電流。同一個晶閘管，通常擎住電流IL約為維持電流IH的2~4倍。
15、額定結溫（Tj）：元件在正常工作條件下所允許的最高PN結溫度。
16、I2t值：浪涌電流的平方在其持續(xù)時間內的積分值。
17、門極平均值耗散功率（PG（AV））：在規(guī)定條件下，門極正向所允許的最大平均功率。
（四）可控硅選擇絕緣還是非絕緣的，示例圖如下：
（四）可控硅IGT(觸發(fā)電流)，通態(tài)均方根電流IT（RMS），重復峰值電壓，選擇如下：
可控硅IGT(觸發(fā)電流)是固定的，在設計線路中，一般驅動觸發(fā)電流是可控硅IGT(觸發(fā)電流)的2-3倍，可控硅在高溫或低溫條件下才能完全打開。通態(tài)均方根電流IT（RMS）負載是電阻性產品，舉例：常溫條件下功率在1A左右，選擇可控硅通態(tài)均方根電流IT（RMS）在2-3A以上，具體在測試中保證可控硅溫度在90°C以下工作，負載是感性負載產品舉例：常溫條件下功率在1A左右，選擇可控硅通態(tài)均方根電流IT（RMS）在4-7A以上，具體在測試中保證可控硅溫度在90°C以下工作。重復峰值電壓：一般我們知道，民用單相全電壓范圍是在90~265V之間。而可控硅的正反向斷態(tài)重復峰值電壓（VDRM/VRRM）與輸入電壓成正比關系，通常情況下，可控硅的耐壓是輸入電壓的3倍，最小不得小于2倍。例如：中國的市電輸入是220V±10%，以標準有效值220V電壓來選取，功率器件在選耐壓時取其平均值，而市電平均值約為200V為基準，那么耐壓就是選取200V*3=600V。 而以全電壓最大值265V為基準，那么耐壓就是選取265V*3=800V。工業(yè)三相電壓范圍是在380V（-5%~﹢10%），因為波動較大，可以分三段即360、380、420為例:360*3=1000V；380*3=1200V；420*3=1200V。考慮到某些應用場合可控硅在關斷和打開瞬間有一個反向電動勢產生，所以在采用電壓波動比較大，外界環(huán)境比較復雜的三相電時留有余量，可以考慮選擇1600V和1800V或者2000V以上耐壓的可控硅。
(五)關于可控硅加裝散熱片。
一般負載功率大于4A以上，可控硅需要加裝散熱片。可控硅在工作溫度高于90度以上。需要加裝散熱。
（六）總結上述5點就可以真確的選好可控硅，用好可控硅。
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