單向可控硅的使用方法和介紹

1.單向可控硅等效結(jié)構(gòu)

2.單向可控硅晶體管模型

3.單向可控硅平面和縱向結(jié)構(gòu)

4.可控硅工作原理-導(dǎo)通

柵極懸空時(shí)，BG1 和BG2截止, , 沒(méi)有電流流過(guò)負(fù)載電阻RL。 。
•  柵極輸入一個(gè)正脈沖電壓時(shí) 時(shí), ,BG2 道通， VCE(BG2) 下降， VBE(BG1) 升高。
•  正反饋過(guò)程使BG1 和BG2進(jìn)入飽和道通狀態(tài)。
•  電路很快從截止?fàn)顟B(tài)進(jìn)入道通狀態(tài)。
•  由于正反饋的作用柵極沒(méi)有觸發(fā)將保持道通狀態(tài)不
變。

6.可控硅工作原理-截止

• 陽(yáng)極和陰極加上反向電壓
•BG1 和BG2 截止。
• 加大負(fù)載電阻RL 使電路電流減少BG1 和BG2 的基電流也將減少。
• 當(dāng)減少到某一個(gè)值時(shí)由于電路的正反饋?zhàn)饔茫娐贩D(zhuǎn)為截止?fàn)顟B(tài)。
• 這個(gè)電流為維持電流。

8.單向可控硅I-V曲線

9.單向可控硅反向特性

  條件：控制極開(kāi)路，陽(yáng)極加上反向電壓時(shí)
•  分析：J2 結(jié)正偏，但J1、 、J2 結(jié)反偏。當(dāng)J1 ，J3結(jié) 結(jié)的雪崩擊穿后，電流迅速增加，如特性O(shè)R 段所示，彎曲處的電壓URRM 叫反向轉(zhuǎn)折電壓，也叫反向重復(fù)峰值電壓。
•  結(jié)果：可控硅會(huì)發(fā)生永久性反向擊穿。

11.單向可控硅正向特性

條件： 控制極開(kāi)路，陽(yáng)極加正向電壓

• 分析： J1 、 J3 結(jié)正偏，J2 結(jié)反偏，這與普通 PN結(jié)的反向特性相似，也只能流過(guò)很小電流，如特性 OA 段所示，彎曲處的是 UDRM 叫：正向轉(zhuǎn)折電壓，也叫斷態(tài)重復(fù)峰值電壓。

13.單向可控硅負(fù)阻特性及導(dǎo)通

  條件：J2 結(jié)的雪崩擊穿
•  分析： J2 結(jié)的雪崩擊穿后 J2結(jié)發(fā)生雪崩倍增效應(yīng)， J2 結(jié)變成正偏，只要電流稍增加，
電壓便迅速下降。
•  結(jié)果：出現(xiàn)所謂負(fù)阻特性
•  正向?qū)?br style="box-sizing: border-box;" /> •  條件：電流繼續(xù)增加
•  分析： J1 、 J2 、 J3 三個(gè)結(jié)均處于正偏，它的特性與普通的 PN 結(jié)正向特性相似， 結(jié)果：可控硅便進(jìn)入正向?qū)щ姞顟B(tài)

15.單向可控硅觸發(fā)導(dǎo)通

  條件：控制極G 上加入正向電壓
•  分析： J3 正偏，形成觸發(fā)電流 IGT 。內(nèi)部形成正反饋，加上 IGT 的作用，圖中的伏安特
性 OA 段左移， IGT 越大，特性左移越快。
•  結(jié)果：可控硅提前導(dǎo)通。

16.單向可控硅導(dǎo)通和關(guān)斷條件

（一）從關(guān)斷到導(dǎo)通 

1 、陽(yáng)極電位高于是陰極電位
2 、控制極有足夠的正向電壓和電流。

兩者缺一不可

（二）維持導(dǎo)通

1 、陽(yáng)極電位高于陰極電位
2 、陽(yáng)極電流大于維持電流
兩者缺一不可

（三）從導(dǎo)通到關(guān)斷

1 、陽(yáng)極電位低于陰極電位
2 、陽(yáng)極電流小于維持電流
任一條件即可